基于SET/MOS混合结构的只读存储器设计

发表于2009-06-23    568人浏览    1人跟帖    总热度:148  

  • 文件格式:pdf
  • 文件大小:273.00KB
  • 等级:

内容简介

结合单电子晶体管的I-V特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想,设计实现了4×4位的只读存储器电路。该电路各主要组成部分均由单电子晶体管和MOS管的混合结构构成,通过对该电路进行SPICE仿真分析,验证了电路设计的正确性。研究表明,只读存储器的取数时间达到了纳秒级;该电路与纯SET实现的电路相比,驱动能力得到了提高;与传统晶体管实现的电路相比,具有高集成度、低功耗等优点。

基于SET/MOS混合结构的只读存储器设计

分享至

分享到微信朋友圈 ×

打开微信"扫一扫",扫描上方二维码
请点击右上角按钮 ,选择 

 发表于2009-06-23   |  只看该作者      

2

该帖未通过审核,已被删除

 回帖后跳转到最后一页


猜你爱看

分享